笔记本硬盘发展回顾

走向何方 笔记本硬盘的技术发展主要围绕速度、容量和稳定性这三点进行。而三者的短板最明显的就是速度,笔记本硬盘的速度似乎一直差强人意。运行多个程序时,硬盘灯频频亮起,即便使用最高配置的双核处理器和2GB双通道内存,在运行PhotoShop等大型软件时,硬盘灯还是不能休眠。因此,硬盘速度直接影响着整个笔记本电脑系统的效率。

SSD近期难取代传统硬盘 固态硬盘不存在一般硬盘上的活动部件,因此,使用时不必担心冲击或震动这些对于普通硬盘来说常见的危险。随着时间推移,固态硬盘的成本最终将会低于目前我们使用的传统硬盘。当然,这款产品还不是十分成熟,最大的问题在于这款基于NAND闪存技术的产品目前的最大容量只有32GB,按照三星等半导体厂商发布的技术路线图,容量上将逐渐逼近传统硬盘,它的发展成熟只是时间问题。

但现在就断言NAND会取代传统笔记本硬盘还为时过早。NAND技术在可擦写寿命以及保存时间方面有着先天性缺陷,而且其写入速度展示也难以令人满意。NAND型闪存的单晶体管与普通晶体管非常类似,但是它加入了浮栅和控制栅。浮栅的主要作用是存储电子,位于晶体管导电沟道的上方,而且还包裹着一层硅氧化膜绝缘体。然而,也正是因为这样的工作原理,NAND会随着使用次数的增加而产生坏块,而且数据可以保存10年以内,甚至可擦写次数也仅仅是十万次左右。

尽管硬盘的实际工作寿命一般只有5~8年,但只要不去破坏它,数据保存100年都不成问题。而在可擦写次数上,硬盘几乎是无限的,仅仅凭借这两项优势,NAND就难以撼动硬盘的霸主地位。

现在,SDD固态硬盘之所以没有大规模应用到笔记本电脑,除了成本因素以外,稳定性也是不可忽视的原因。此外,尽管基于NAND的SDD固态硬盘有着不错的读取速度,可是其写入速度以及随机读取速度还很不理想,这些都是困扰SDD固态硬盘普及的绊脚石。保守估计,5年以内,传统硬盘还是笔记本电脑首选的存储设备,NAND型闪存发展还要再闯关。

MRAM带来的速度快感 如果说混合式硬盘是笔记本硬盘在两年内的发展目标,固态硬盘是五年内的发展趋势,那么MRAM(Magnetic Random Access Memory)则可以认为是未来十年的技术走向。

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器,所谓“非易失性”是指关掉电源后,仍可以保持记忆完整,功能与目前极为流行的闪存芯片类似;而“随机存取”是指CPU读取资料时,不一定要从头开始,随时可用相同的速率,从内存的任何部位读写信息。MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器类似,就如同在硬盘上存储数据一样,数据以磁性的方向为依据,存储为0或1。它存储的数据具有永久性,直到被外界的磁场影响之后,才会改变这个磁性数据。因为运用磁性存储数据,所以MRAM在容量成本方面大幅度降低。

但MRAM的磁介质与硬盘有着很大不同。它的磁密度要大得多,也相当薄,因此产生的自感和阻尼要少得多,这也是MRAM速度明显快于硬盘的重要原因。当进行读写操作时,MRAM中的磁极方向控制单元会使用相反的磁力方向,以使数据流水线能同时进行读写操作而不延误时间。

目前,MRAM几乎是速度与稳定性的完美结合,但是其容量却很难做大,因此短时间内也无法取代硬盘的地位。为了更好地争夺MRAM市场的先机,IBM与Infineon Technologies公司正联手发展,这种合作并不仅仅是技术与生产的组合,而是研发上的互相支持。尽管容量明显不足的MRAM在传统笔记本硬盘面前还是后来者,但其未来发展无疑值得关注。

RAMDISK联姻固态硬盘 RAMDISK技术也是我们值得关注的,其核心思想就是以内存来取代硬盘。技嘉在去年就推出了RAMDISK,这种产品以板卡形式存在,通过SATA总线工作。RAMDISK提供了多个内存插槽,用户可以直接以扩展内存的形式来扩容。

从应用层面来看,RAMDISK的速度优势无可比拟,读写速度足足是硬盘的好几倍,并且随机存储速度非常快;只是RAMDISK是易失性的存储介质,即断电后就会丢失所有数据,尽管通过电池可以来暂时保留数据,但这项产品还是不适合长期存储,只适合应用在对速度要求极高的场合。

虽说RAMDISK不可能成为笔记本电脑的唯一存储设备,但如果和固态硬盘结合,RAMDISK的可擦写寿命就可以弥补固态硬盘的最大不足,这种组合存储的方式顺应着未来的发展潮流。

小辞典 MR与GMR是什么 80年代末,IBM研发了MR磁阻磁头技术,磁阻磁头是基于磁致电阻效应工作的,核心是一片金属材料,其电阻随磁场变化而变化。磁阻元件连着一个十分敏感的放大器,可以测出微小的电阻变化。之后IBM又开发了 GMR巨磁阻磁头技术,它是在MR技术的基础上研发成功的新一代磁头技术,现在生产的硬盘全都应用了GMR磁头技术。GMR巨磁阻磁头与MR磁头一样,是利用特殊材料的电阻值随磁场变化的原理来读取盘片上的数据,但GMR磁头使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构,比MR磁头更敏感,相同的磁场变化能引起更大的电阻值变化,实现更高的存储密度,MR磁头能够达到的盘片密度为每平方英寸3Gb-5Gb,而GMR磁头每平方英寸可以达到10Gb-40Gb以上。GMR比MR具有更高的信号变化灵敏度,从而使硬盘的单碟容量可以做得更高,最新的磁头技术为第四代GMR磁头技术。

笔记本电脑硬盘大事记 1992年 IBM推出第一款PIO-0传输模式的笔记本硬盘,容量为270MB; 1994年 IBM首次在其笔记本硬盘上采用MR磁头技术; 1996年 FDB流体动态轴承电机第一次推出。 2000年 IBM推出第一款5400rpm笔记本硬盘Travel Star 32GH; 2002年 东芝发布其1.8英寸笔记本硬盘,厚度仅为8mm; 2002年 东芝发布9.5mm的2.5英寸5400rpm笔记本硬盘MK4019GAX,拥有16MB缓存; 2003年 日立发布第一款7200rpm的2.5英寸笔记本硬盘Travelstar 7K60; 2004年 富士通推出业界第一款2.5英寸Serial ATA硬盘MHT20xxBH; 2006年 Intel发布Napa迅驰移动计算平台,硬盘由并口开始向串口过渡; 2006年 垂直磁记录(PMR)技术开始推广应用,进一步催生大容量产品; 2006年 结合了闪存和传统硬盘优势的混合硬盘开始陆续上市。