经过几十年的发展，中国已经成为全球集成电路产业中增长最快、市场需求最大、国际贸易最活跃的地区。工业化进程正在开始，需要不断努力。中国科学院院士杨德仁在近日举行的“浙江大学硅材料国家重点实验室黄河水电集成电路硅材料联合研发中心”(以下简称“联合研发中心”)揭牌仪式上表示，当前和今后一个时期是中国集成电路产业发展的重要战略机遇期和关键时期。

从目前情况看，我国高端集成电路制造骨干企业发展迅速，但集成电路产业的基础材料——电子级多晶硅和电子级特种气体——仍依赖进口，急需开展相关产品的研发以弥补短板。针对目前半导体硅产业的发展，杨德仁在接受《科技日报》记者专访时表示，中国的半导体硅是一类太阳能光伏用硅材料，也是一类微电子用硅材料。在太阳能光伏硅材料方面，中国的工业技术和工业规模处于世界第一梯队的领先地位。然而，微电子硅材料的研发和生产仍处于第二梯队，与国际最佳水平仍有一定差距。“目前，中国已经完成或满足6英寸、5英寸及以下小型集成电路硅片的产业化需求；8英寸硅片的关键技术已经突破。目前，10%-15%的集成电路源自8英寸的硅片。12英寸硅片的生产技术刚刚取得突破。”杨德仁说道。

中国电子材料工业协会前秘书长童渊也认为，中国电子材料工业的规模已达到年产值4000亿元。但是，目前我国电子信息新材料产业发展存在一些问题，如缺乏统筹规划和支持，缺乏技术龙头企业，下游需求旺盛，但大部分关键产品严重依赖进口，缺乏创新能力，高端产品自给率低，产学研结合不够紧密，产业化能力不强。克服技术困难势在必行。

在这种形势下，为了提升中国集成电路产业的创新能力，一个联合研发中心应运而生。开展集成电路硅材料、高纯特种气体等国家重大需求关键技术研究，更好更快推进科技创新，尽快转化科研成果。

黄河上游水电开发有限公司党委书记、董事长谢小平在接受《科技日报》采访时表示，联合研发中心的成立将聚焦于集成电路硅材料和高纯特种气体等国家重大需求的关键技术。目的是通过校企合作优势互补，构建以企业为主体、产学研结合的技术研发体系，以集成电路半导体材料开发和高纯半导体材料检测技术为研究方向，实现学术研究和市场应用的相互促进。

——原标题:增长最快、需求最大的多晶硅生产技术进入关键时期